Лабораторная работа

Схема с управляемой вольт-амперной характеристикой

Категория:

Лабораторная работа

Дисциплина:

Электроника

Город:

Беларусь, Минск

Учебное заведение:

БНТУ, ФИТР

Стоимость работы:

2 руб.

Оценка: 10
Объем страниц: 5
Год сдачи: 2020
Дата публикации: 07.05.2021

Фрагменты для ознакомления

Лабораторная работа

Схема с управляемой вольт-амперной характеристикой

Цель работы: изучить схемы с управляемой ВАХ. Определить их характерные виды. Изучить и исследовать схемотехнические реализации устройств с управляемой ВАХ на биполярных транзисторах, их свойства и особенности применения. Изучить особенности применяемых компонентов. Исследовать возможные особенности практической реализации, применения на практике. Изучить возможные альтернативные реализации. Получить ВАХ исследуемых схем, сравнить их, составить графики. Сделать выводы на основе методических указаний и экспериментальных данных.

Теоретическая часть:

  1. Схемы с характеристикой S-вида

Схема последовательного принципа действия.

Устройство (рис.1) имеет S-образную вольтамперную характеристику. Положительное входное напряжение открывает переход эмиттер-база транзистора VT1, через который протекает ток, определяемый резистором R4.Коллекторный ток транзистора VT1 создает падение напряжения на резисторе R2, которое открывает транзистор VT2.Ток, протекающий через транзистор VT2, поступает из входной цепи через резистор R1. Кроме того открывание транзистора VT2 вызывает уменьшение напряжения в базовой цепи транзистора VT1: параллельно резистору R4 подключается резистор R3. В результате формируется наклонный участок вольтамперной характеристики. После того как транзистор VT2 полностью откроется, входной ток схемы будет определяться соотношением ∆U/∆I=R1R3/R2.

Рис. 1 Схема последовательного принципа действия
Рис. 2 Схема последовательного принципа действия

Рис. 1 Схема последовательного принципа действия

Схема с управляемой вольтамперной характеристикой (рис.2)

Для получения такой характеристики используется эквивалент однопереходного транзистора, построенный на двух транзисторах с различным типом проводимости. Ток, протекающий через делитель R3 и R4, создает падение напряжения, которое закрывает эмиттерный переход транзистора VT1.При повышении напряжения на эмиттере начинает протекать ток, который проходит через базу транзистора VT2. Транзистор VT2 начинает открываться. Это приводит к снижению напряжения на базе транзистора VT1, что в свою очередь вызывает еще большее его открывание. В результате вольтамперная характеристика имеет S-образный вид.

Рис. 2 Схема с управляемой ВАХ

Рис. 2 Схема с управляемой ВАХ

Экспериментальная часть:
S-образная 

Pис. 6
Pис. 6

                           

N-образная

Рис. 7
Рис. 7
155