Лабораторная работа
Усилитель с диодной регулировкой коэффициента усиления
Категория: | Лабораторная работа |
Дисциплина: | Электроника |
Город: | Беларусь, Минск |
Учебное заведение: | БНТУ, ФИТР |
Стоимость работы: | 2 руб. |
Оценка: | 10 |
Объем страниц: | 4 |
Год сдачи: | 2020 |
Дата публикации: | 27.11.2020 |
Фрагменты для ознакомления
Лабораторная работа
Усилитель с диодной регулировкой коэффициента усиления
Цель работы: изучить усилитель с диодной регулировкой коэффициента усиления, принцип работы и применение. Изучить параметры, их изменение по переменному току. Изучить понятия транзистор, база, эмиттер, коллектор, усилительный коэффициент. Каким образом можно изменять усилительный коэффициент. Изучить схемы включения, с целью получения различных коэффициентов усиления. Получить зависимость напряжения управления и напряжения выхода. Построить график данной зависимости.
Теоретическая часть:
Биполярные транзисторы – это п/п с двумя p – n переходами и тремя электродами. Отличительный признак: для нормальной работы необходимы носители двух видов - электроны и дырки.
Используются два встречно включенных p – n перехода. Бывают двух типов:


n2 и p2 – сильно легированные области.
В транзисторе, находящемся в активном состоянии, переход эмиттер-база, эмиттерный переход, смещен в прямом направлении, т.е. приоткрыт, а коллекторный переход закрыт. Прямосмещенный эмиттерный p-n-переход ускоряет электроны из эмиттера в базу. Если база узкая – меньше диффузионной длины – и электрон не успевает рекомбинировать в базе, он пролетает через базу в коллектор, ускоряясь положительным напряжением последнего. Изменяя прямое напряжение эмиттер-база, мы изменяем количество электронов, впрыскиваемых в базу из эмиттера, а значит и ток коллектора.

В усилительном режиме работы транзистора, эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный - в обратном. Эмиттерный переход сильно легирован, коллектор - обеднен. Коллекторный переход должен быть равномерно легирован и в меньшей степени, чем эмиттер, с целью увеличения пробивного напряжения коллектор-база.
Iэ = Iк+Iб (так как ток коллектора во много раз больше тока базы, то токи эмиттера и коллектора приближенно равны).
Статические характеристики:

Практическая часть:
Схема включения параллельно эмиттерному сопротивлению:


Включение диода параллельно коллекторному сопротивлению:
Таблица результатов измерений:
Uупр, В | 0,8 | 1 | 1,2 | 1,4 | 1,6 | 1,8 | 2 |
Uвых, В | 0.01 | 0.03 | 0.042 | 0.058 | 0.066 | 0,074 | 0,084 |